DISPOSITIF DE MEMOIRE A SEMI-CONDUCTEURS ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN TEL DISPOSITIF

DANS UN TEL DISPOSITIF DE MEMOIRE COMPORTANT NOTAMMENT UN RESEAU DE MEMOIRE M-ARY ET UN RESEAU FICTIF DE MEMOIRE D-ARY, CONTENANT DES CELLULES DE MEMOIRE M-CEL MUNIES D'UN CONDENSATEUR C ET D'UN TRANSISTOR Q ET DES CELLULES D-CEL FOURNISSANT UN NIVEAU DE REFERENCE ET COMPORTANT UN CONDENSA...

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Main Author MASAMICHI ISHIHARA, MASANORI TAZUNOKI ET TAKESHI KAJIMOTO
Format Patent
LanguageFrench
Published 19.11.1982
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