DISPOSITIF DE MEMOIRE A SEMI-CONDUCTEURS ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN TEL DISPOSITIF

• Main Author: MASAMICHI ISHIHARA, MASANORI TAZUNOKI ET TAKESHI KAJIMOTO
• Format: Patent
• Language: French
• Published: 19.11.1982
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INFORMATION STORAGE; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; STATIC STORES

DANS UN TEL DISPOSITIF DE MEMOIRE COMPORTANT NOTAMMENT UN RESEAU DE MEMOIRE M-ARY ET UN RESEAU FICTIF DE MEMOIRE D-ARY, CONTENANT DES CELLULES DE MEMOIRE M-CEL MUNIES D'UN CONDENSATEUR C ET D'UN TRANSISTOR Q ET DES CELLULES D-CEL FOURNISSANT UN NIVEAU DE REFERENCE ET COMPORTANT UN CONDENSATEUR C ET DES TRANSISTORS Q,Q, LES CONDENSATEURS C,C COMPORTENT DES PELLICULESDIELECTRIQUES REALISEES ENTRE UN SUBSTRAT SEMICONDUCTEUR ET UNE COUCHE CONDUCTRICE, ET LA PELLICULE DIELECTRIQUE DU CONDENSATEUR C EST FORMEE EN UN MATERIAU DIFFERENT DE LA PELLICULE DIELECTRIQUE DES CONDENSATEURS C.APPLICATION NOTAMMENT AUX MEMOIRES DYNAMIQUES A ACCES DIRECT. The device comprises a memory cell (M-CEL) and a reference level generating cell (D-CEL), each cell including a responsive capacitor (Cs; Cds). The dielectric layer 3a which determines the capacitance of the capacitor Cs is made of a material different from that of the dielectric of capacitor Cds. The materials are preferably silicon nitride and silicon oxide.