Process for making contact holes in insulating layers applied to semiconductor material

• Main Authors: PRUFER, GERD, LACHER, MANFRED
• Format: Patent
• Language: English; French; German
• Published: 30.12.1986
• Edition: 4
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von Kontaktöffnungen in aus Siliciumdioxid und/oder Siliciumnitrid bestehenden und auf einem Halbleitermaterial angeordneten Isolierschichten durch reaktives Ionenätzen. Dabei wird zunächst mit einem Gasgemisch aus halogeniertem Kohlenwasserstoff und Sauerstoff durch die Isolierschicht (en) anisotrop bis zur Oberfläche des zu kontaktierenden Halbleitermaterials durchgeätzt und anschließend mit einem Gemisch aus Schwefelhexafluorid und Edelgas im Mischungsverhältnis von mindestens 1 : 10 die Oberfläche des freigelegten Halbleitermaterials angeätzt, so daß man eine Halbleiteroberfläche erhält, die nach der Metallisierung im Vergleich zum Naßätzen keine erhöhten Kontaktwiderstände liefert. 1. Method of manufacturing contact window openings in insulating layers consisting of silicon dioxide and/or silicon nitride and disposed on a semiconducting material, by employing reactive-ion etching using a gas mixture of a halogenized hydrocarbon and oxygen, characterized in that by using another gas mixture of sulphurhexafluoride and a noble gas at a mixture of sulphurhexafluoride to noble gas of at least 1 : 10, the exposed surface of the semiconducting material is etched only slightly or superficially.