Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements

• Main Authors: Tan, Cheng Kooi, Kopp, Fabian, Ng, Ban Loong Chris, Molnar, Attila
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 13.10.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) beschrieben, aufweisend- eine Halbleiterschichtenfolge (2) umfassend- eine erste Halbleiterschicht (3) mit einer ersten Oberfläche (3A),- eine zweite Halbleiterschicht (5) mit einer ersten Oberfläche (5A),- eine erste Hauptfläche (2A) und eine der ersten Hauptfläche (2A) gegenüberliegende zweite Hauptfläche (2B), wobei die ersten Oberflächen (3A, 5A) der ersten und zweiten Halbleiterschichten (3, 5) zumindest teilweise an der ersten Hauptfläche (2A) angeordnet sind,- eine direktional reflektierende Schicht (7), die auf der ersten Hauptfläche (2A) angeordnet ist,- eine erste Kontaktstruktur (8) mit einer ersten Stromaufweitungsstruktur (9), die auf der ersten Oberfläche (3A) der ersten Halbleiterschicht (3) angeordnet ist,- eine zweite Kontaktstruktur (15) mit einer zweiten Stromaufweitungsstruktur (16), die auf der ersten Oberfläche (5A) der zweiten Halbleiterschicht (5) angeordnet ist, wobeidie erste Stromaufweitungsstruktur (9) und die zweite Stromaufweitungsstruktur (16) jeweils aus mindestens einem transparenten leitfähigen Oxid bestehen. An optoelectronic semiconductor device may include a semiconductor layer sequence, a directionally reflective layer being arranged on the first main surface of the semiconductor layer sequence, a first contact structure comprising a first current spreading structure arranged on a first surface of a first semiconductor layer of the semiconductor layer sequence, a second contact structure comprising a second current spreading structure arranged on a first surface of a second semiconductor layer of the layer stack, wherein the first current spreading structure and the second current spreading structure each consist of at least one transparent conductive oxide. Moreover, a method for producing an optoelectronic semiconductor device is described.