Verfahren sowie Vorrichtung zum Tragen eines Halbleiterwafers

Es handelt sich um ein Verfahren zum Tragen eines Halbleiterwafers, der bei der thermischen Behandlung mittels einer Vorrichtung zur schnellen thermischen Bearbeitung durch Lampenheizung durch mindestens 3 auf einer Auflageplatte befestigte Trägerstifte oberhalb der Auflageplatte an der Unterseite d...

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Main Authors Matsuyama, Hiroyuki, Jagawa, Yoshihiro, Nakayama, Takashi
Format Patent
LanguageGerman
Published 03.08.2017
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