Verfahren sowie Vorrichtung zum Tragen eines Halbleiterwafers

Es handelt sich um ein Verfahren zum Tragen eines Halbleiterwafers, der bei der thermischen Behandlung mittels einer Vorrichtung zur schnellen thermischen Bearbeitung durch Lampenheizung durch mindestens 3 auf einer Auflageplatte befestigte Trägerstifte oberhalb der Auflageplatte an der Unterseite d...

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Main Authors Matsuyama, Hiroyuki, Jagawa, Yoshihiro, Nakayama, Takashi
Format Patent
LanguageGerman
Published 03.08.2017
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Abstract Es handelt sich um ein Verfahren zum Tragen eines Halbleiterwafers, der bei der thermischen Behandlung mittels einer Vorrichtung zur schnellen thermischen Bearbeitung durch Lampenheizung durch mindestens 3 auf einer Auflageplatte befestigte Trägerstifte oberhalb der Auflageplatte an der Unterseite des Wafers horizontal getragen wird. Bei diesem Verfahren zum Tragen sind die Trägerstifte aus einer Spitze, die eine Berührungsstelle aufweist, die mit der Unterseite des Halbleiterwafers in Berührung kommt, einem Fuß, der auf der Auflageplatte befestigt ist, und einem Schaft, der sich von der Spitze zu dem Fuß erstreckt, einteilig ausgebildet, wobei die Spitze ab dem Schaft sich verjüngend ausgebildet ist und die Trägerstifte derart geneigt angeordnet sind, dass weder der Schaft noch der Fuß die von der Berührungsstelle zur Auflageplatte herabgezogene Senkrechte berührt. A method for supporting a semiconductor wafer, in which a semiconductor wafer heat-treated with a rapid-temperature-increase/decrease heat-treatment device using lamp heating is supported horizontally above a base tray with at least three support pins secured to the base tray, at the bottom surface of the wafer. In this support method, the support pins comprise a tip section having a contact part for contacting the bottom surface of the semiconductor wafer, a base section secured to the base tray, and a body section reaching from the tip part to the base part, the sections being integrally formed. The tip section is formed to be tapered more than the body section, and the support pins are disposed at an incline such that the body sections and the base sections do not come into contact on a vertical line descending toward the base tray from the contact part.
AbstractList Es handelt sich um ein Verfahren zum Tragen eines Halbleiterwafers, der bei der thermischen Behandlung mittels einer Vorrichtung zur schnellen thermischen Bearbeitung durch Lampenheizung durch mindestens 3 auf einer Auflageplatte befestigte Trägerstifte oberhalb der Auflageplatte an der Unterseite des Wafers horizontal getragen wird. Bei diesem Verfahren zum Tragen sind die Trägerstifte aus einer Spitze, die eine Berührungsstelle aufweist, die mit der Unterseite des Halbleiterwafers in Berührung kommt, einem Fuß, der auf der Auflageplatte befestigt ist, und einem Schaft, der sich von der Spitze zu dem Fuß erstreckt, einteilig ausgebildet, wobei die Spitze ab dem Schaft sich verjüngend ausgebildet ist und die Trägerstifte derart geneigt angeordnet sind, dass weder der Schaft noch der Fuß die von der Berührungsstelle zur Auflageplatte herabgezogene Senkrechte berührt. A method for supporting a semiconductor wafer, in which a semiconductor wafer heat-treated with a rapid-temperature-increase/decrease heat-treatment device using lamp heating is supported horizontally above a base tray with at least three support pins secured to the base tray, at the bottom surface of the wafer. In this support method, the support pins comprise a tip section having a contact part for contacting the bottom surface of the semiconductor wafer, a base section secured to the base tray, and a body section reaching from the tip part to the base part, the sections being integrally formed. The tip section is formed to be tapered more than the body section, and the support pins are disposed at an incline such that the body sections and the base sections do not come into contact on a vertical line descending toward the base tray from the contact part.
Author Jagawa, Yoshihiro
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