Methoden der Bildung von Hetero-Schichten mit reduzierter Oberflachenrauhigkeit und Defektdichte auf ortsfremden Oberflächen und die dadurch entstehenden Strukturen

Ein Verfahren (700, 1000) zur Bildung einer Struktur, einschließlich:Bereitstellen (102) eines Substrats (202) mit einer Deckfläche mit einer ersten Gitterkonstante;Auftragen (104) einer ersten Schicht (206) auf der Deckfläche des Substrats (202), wobei die erste Schicht eine Deckfläche (208) mit ei...

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Main Authors Chow, Loren, Le, Van H, Tolchinsky, Peter G, Powers, James M, Chu-King, Benjamin, Radosavljevic, Marko, Goel, Niti, Mukherjee, Niloy, Metz, Matthew V, Lemay, Mark R, Chau, Robert S, Kavalieros, Jack T
Format Patent
LanguageGerman
Published 25.05.2023
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Summary:Ein Verfahren (700, 1000) zur Bildung einer Struktur, einschließlich:Bereitstellen (102) eines Substrats (202) mit einer Deckfläche mit einer ersten Gitterkonstante;Auftragen (104) einer ersten Schicht (206) auf der Deckfläche des Substrats (202), wobei die erste Schicht eine Deckfläche (208) mit einer zweiten Gitterkonstante hat, die sich von der ersten Gitterkonstante unterscheidet; Glühen (106) der ersten Schicht (206);Auftragen (702) einer ersten Deckschicht (802) auf der Deckfläche (208) der ersten Schicht (206), wobei die genannte erste Deckschicht (802) eine einheitliche Gitterkonstante hat, die ungefähr gleich der zweiten Gitterkonstante ist, die erste Deckschicht (802) aus einem einkristallinen Halbleitermaterial besteht und die erste Deckschicht (802) und die erste Schicht (206) aus unterschiedlichen Halbleitermaterialien bestehen;Polieren (704) der ersten Deckschicht (802), um eine erste polierte Abdichtungsfläche (810) zu bilden; undAuftragen (1202) einer zweiten Schicht (814) über der ersten polierten Abdichtungsfläche (810), wobei die zweite Schicht (814) eine Deckfläche (816) mit einer dritten Gitterkonstante besitzt. Methods of forming hetero-layers with reduced surface roughness and bulk defect density on non-native surfaces and the devices formed thereby are described. In one embodiment, the method includes providing a substrate having a top surface with a lattice constant and depositing a first layer on the top surface of the substrate. The first layer has a top surface with a lattice constant that is different from the first lattice constant of the top surface of the substrate. The first layer is annealed and polished to form a polished surface. A second layer is then deposited above the polished surface.
Bibliography:Application Number: DE201111106054T