Herstellungsverfahren für einen Grabenkondensator mit einem Isolationskragen, der über einen vergrabenen Kontakt einseitig mit einem Substrat elektrisch verbunden ist, insbesondere für eine Halbleiterspeicherzelle

• Main Author: SCHOLZ, ARND
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 02.11.2006
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Production of a trench capacitor comprises forming a trench (5) in a substrate (1) using a hard mask (2, 3) with a corresponding opening, placing a capacitor dielectric (30) in the trench and over the mask, pouring an electrically conducting filler (20) into the trench until it is below the upper si...