Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterstruktur

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterstruktur, mit den Schritten: DOLLAR A a. Vorsehen eines Halbleitersubstrats (1); DOLLAR A b. Vorsehen einer Opferschicht (20) zwischen einer zu strukturierenden Schicht (10) und einer Resistschicht (30); DOLLAR A c. Stru...

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Main Authors STEGEMANN, MAIK, WEGE, STEPHAN
Format Patent
LanguageGerman
Published 07.10.2004
Edition7
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterstruktur, mit den Schritten: DOLLAR A a. Vorsehen eines Halbleitersubstrats (1); DOLLAR A b. Vorsehen einer Opferschicht (20) zwischen einer zu strukturierenden Schicht (10) und einer Resistschicht (30); DOLLAR A c. Strukturieren der Resistschicht (30), um eine strukturierte Resistschicht (30) zu bilden; DOLLAR A d. selektives Ätzen der Opferschicht (20) mit einem Böschungswinkel, derart, dass die von in der strukturierten Resistschicht (30) befindlichen Vertiefungen vorgegebenen Abmessungen innerhalb der Opferschicht (20) in Ätzrichtung vermindert werden; und DOLLAR A e. selektives Ätzen der zu strukturierenden Schicht (10) unter Verwendung der mit einem Böschungswinkel geätzten Opferschicht (20) als Maske. Die vorliegende Erfindung betrifft auch ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterstruktur, bei dem zwei Opferschichten verwendet werden.
Bibliography:Application Number: DE2003112469