STEUERSCHALTUNGEN FÜR HOCHFREQUENZSCHALTER

• Main Authors: Nagarajan, Sachin, Choi, Yunyoung, Devaraj, Abhishekh, Balteanu, Florinel G
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 29.12.2022
• Subjects: BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY; ELECTRICITY; PULSE TECHNIQUE

Vorrichtungen und Verfahren für die Hochfrequenzschaltersteuerung werden bereitgestellt. In bestimmten Ausführungsformen umfasst ein Niveauschieber für einen HF-Schalter einen ersten Pegel verschiebenden Transistor des n-Typs, einen ersten in Reihe mit dem ersten Pegel verschiebenden Transistor des n-Typs zwischen einer negativen Ladungspumpenspannung und einem ersten ein erster Schaltersteuersignal bereitstellenden Ausgang gekoppelten Kaskodentransistor des n-Typs, einen ersten Pegel verschiebenden Transistor des p-Typs, einen ersten in Reihe mit dem ersten Pegel verschiebenden Transistor des p-Typs zwischen einer positiven Ladungspumpenspannung und dem ersten Ausgang gekoppelten Kaskodentransistor des p-Typs, sowie einen zweiten Kaskodentransistor des p-Typs zwischen einer geregelten Spannung und einem Gateanschluss des ersten Pegel verschiebenden Transistor des n-Typs, welcher von einem ersten Schalteraktivierungssignal gesteuert wird. Apparatus and methods for radio frequency (RF) switch control are provided. In certain embodiments, a level shifter for an RF switch includes a first level-shifting n-type transistor, a first cascode n-type transistor in series with the first level-shifting n-type transistor between a negative charge pump voltage and a first output that provides a first switch control signal, a first level-shifting p-type transistor, a first cascode p-type transistor in series with the first level-shifting p-type transistor between a positive charge pump voltage and the first output, and a second cascode p-type transistor between a regulated voltage and a gate of the first level-shifting n-type transistor and controlled by a first switch enable signal.