Polysilizium-Widerstand mit durchgehenden U-förmigen Polysilizium-Widerstandselementen und zugehöriges Verfahren

• Main Authors: Adusumilli, Siva P, Ngu, Yves. T, Shank, Steven M, Yu, Mickey H
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 15.02.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Widerstand (100), umfassend:mindestens ein Polysilizium-Widerstandselement (120) in einem Halbleitersubstrat (104) und wenigstens teilweise direkt über einer Dotierstoff-aufweisenden polykristallinen HR-Schicht (150), wobei jedes Polysilizium-Widerstandselement (120) eine durchgehende U-Form (122) mit einem durchgehenden seitlichen Boden (124) aufweist;eine Isolatorschicht (110) über der Dotierstoff-aufweisenden polykristallinen HR-Schicht (150), wobei sich jedes Polysilizium-Widerstandselement (120) durch die Isolatorschicht (110) und in die Dotierstoff-aufweisende polykristalline HR-Schicht (150) erstreckt undeinen zweiten Isolator (130) in einem Tal (132) der durchgehenden U-Form (122) von jedem Polysilizium-Widerstandselement (120). A resistor includes at least one polysilicon resistor element in a semiconductor substrate with each polysilicon resistor element having a continuous U-shape with a continuous lateral bottom. The resistor may include an insulator within a valley of the U-shape of each polysilicon resistor element. A plurality of polysilicon resistor elements can be sequentially interconnected to create a serpentine polysilicon resistor. The resistor may also include a dopant-including high resistivity (HR) polysilicon layer thereunder to provide electrical isolation from, and better thermal conduction to, for example, a base semiconductor substrate. The resistor can be used in an SOI substrate. A related method is also disclosed.