ÄNDERUNGSTOLERANTE LESE-UNTERSTÜTZUNGSSCHALTUNG FÜR SRAM

Es wird eine Lese-Unterstützungsschaltung offenbart, die eine Lese-Unterstützung selektiv für eine Mehrzahl von Speicherzellen während einer Lese-Operation der Mehrzahl von Speicherzellen bereitstellt. Die Lese-Unterstützungsschaltung weist eine Spannungsteilerschaltung und eine Mehrzahl von Schreib...

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Bibliographic Details
Main Authors Fujiwara, Hidehiro, Lin, Chih-Yu, Singh, Sahil Preet, Chen, Yen-Huei, Liao, Hung-Jen, Pan, Hsien-Yu
Format Patent
LanguageGerman
Published 02.01.2020
Subjects
INFORMATION STORAGE
PHYSICS
STATIC STORES
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