VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES DOTIERTEN VERGRABENEN GEBIETS UND EINES DOTIERTEN KONTAKTGEBIETS IN EINEM HALBLEITERKÖRPER

• Main Authors: Lemke, Marko, Weis, Rolf
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 24.10.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Ein Verfahren wird beschrieben. Das Verfahren umfasst:Herstellen einer Implantationsmaske (3; 3) auf einer ersten Oberfläche (101; 101) eines Halbleiterkörpers (100; 100), wobei die Implantationsmaske (3) ein ersten Maskengebiet (31; 31) mit einer ersten Dicke (d1; d31) und ein zweites Maskengebiet (32; 32) mit einer zweiten Dicke (d2; d32), die geringer als die erste Dicke (d1, d31) ist, aufweist;Implantieren von Dotierstoffatomen eines Dotierungstyps in wenigstens einem ersten Implantationsprozess durch die Implantationsmaske (3; 3) in den Halbleiterkörper (100; 100) derart, dass wenigstens ein erstes implantiertes Gebiet (1, 12) in dem Halbleiterkörper (100; 100) unterhalb des ersten Maskengebietes (31; 31) hergestellt wird;Implantieren von Dotierstoffatomen des einen Typs in wenigstens einem zweiten Implantationsprozess durch die Implantationsmaske (3; 3) in den Halbleiterkörper (100; 100) derart, dass wenigstens ein zweites implantiertes Gebiet (2-2) in dem Halbleiterkörper (100; 100) unterhalb des zweiten Maskengebiets (32; 32) hergestellt wird und das die Dotierstoffatome das erste Maskengebiet (31; 31) nicht passieren; undAktivieren der in dem wenigstens einen ersten Implantationsprozess und dem wenigstens einen zweiten Implantationsprozess implantierten Dotierstoffatome in einem Temperaturprozess derart, dass wenigstens ein vergrabenes Gebiet (10, 10) aus dem wenigstens einen ersten implantierten Gebiet (1, 1) beabstandet zu der ersten Oberfläche (101; 101) gebildet wird, und derart, dass ein Kontaktgebiet (20), das an das wenigstens eine vergrabene Gebiet (1-1) angrenzt und sich zu der ersten Oberfläche (101; 101) erstreckt, aus dem wenigstens einen zweiten implantierten Gebiet (2-2) gebildet wird.