Leistungstransistor und Verfahren zur Herstellung eines Leistungstransistors
Leistungstransistor (100) mit einem Halbleitersubstrat (101), das eine Vorderseite und eine Rückseite aufweist, wobei die Vorderseite der Rückseite gegenüberliegt und das Halbleitersubstrat (101) eine erste Haupterstreckungsrichtung (z) aufweist, die senkrecht zur Rückseite angeordnet ist und eine z...
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| Main Authors | , , , , |
|---|---|
| Format | Patent |
| Language | German |
| Published |
06.06.2019
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| Abstract | Leistungstransistor (100) mit einem Halbleitersubstrat (101), das eine Vorderseite und eine Rückseite aufweist, wobei die Vorderseite der Rückseite gegenüberliegt und das Halbleitersubstrat (101) eine erste Haupterstreckungsrichtung (z) aufweist, die senkrecht zur Rückseite angeordnet ist und eine zweite Haupterstreckungsrichtung (x) aufweist, die senkrecht zur ersten Haupterstreckungsrichtung (z) angeordnet ist, einem Sourceanschluss (102) und einem Drainanschluss (103), wobei zwischen dem Sourceanschluss (102) und dem Drainanschluss (103) ein Bodygebiet angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, dass das Bodygebiet eine Dotierung mit einem Dotierungsprofil aufweist, wobei das Dotierungsprofil entlang der zweiten Hauptersteckungsrichtung (x) zwischen dem Sourceanschluss (102) und dem Drainanschluss (103) einen ersten Dotierungshöchstwert und einen zweiten Dotierungshöchstwert aufweist. |
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| AbstractList | Leistungstransistor (100) mit einem Halbleitersubstrat (101), das eine Vorderseite und eine Rückseite aufweist, wobei die Vorderseite der Rückseite gegenüberliegt und das Halbleitersubstrat (101) eine erste Haupterstreckungsrichtung (z) aufweist, die senkrecht zur Rückseite angeordnet ist und eine zweite Haupterstreckungsrichtung (x) aufweist, die senkrecht zur ersten Haupterstreckungsrichtung (z) angeordnet ist, einem Sourceanschluss (102) und einem Drainanschluss (103), wobei zwischen dem Sourceanschluss (102) und dem Drainanschluss (103) ein Bodygebiet angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, dass das Bodygebiet eine Dotierung mit einem Dotierungsprofil aufweist, wobei das Dotierungsprofil entlang der zweiten Hauptersteckungsrichtung (x) zwischen dem Sourceanschluss (102) und dem Drainanschluss (103) einen ersten Dotierungshöchstwert und einen zweiten Dotierungshöchstwert aufweist. |
| Author | Lipski, Frank Mettler, Stephan Nguegang Ngnetiwe, Eric Costachescu, Dragos Davies, Neil |
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| Title | Leistungstransistor und Verfahren zur Herstellung eines Leistungstransistors |
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