Verfahren und System zum Steuern von Plasma in einer Halbleiterfertigung

• Main Authors: Liao, Si-Wen, Liu, Ding-I, Leu, Po-Hsiung, Kung, Hsiang-Sheng, Wu, Cheng-Tsung
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 29.03.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

Plasmabearbeitungssystem (1), umfassend: ein Remote-Plasma-Modul (10), das mit einem stromaufwärts angeordneten Ende eines Kanals (11, 21, 12) verbunden und zum Erzeugen eines Plasmas (60') ausgelegt ist, eine Prozesskammer (30), die mit einem stromabwärts angeordneten Ende des Kanals (11, 21, 12) verbunden und zum Empfangen des Plasmas (60') von dem Remote-Plasma-Modul (10) für einen Plasmaprozess ausgelegt ist, ein Stoffmischelement (20), das einen Fließweg (21) umfasst, der als ein Abschnitt des Kanals (11, 21, 12) gestaltet ist, ein Erfassungsmodul (40), das mit dem Fließweg (21) verbunden und zum Überwachen von mindestens einem Parameter des Plasmas (60') in dem Fließweg (21) ausgelegt ist, indem eine optische Wellenlänge des Plasmas (60') in dem Stoffmischelement (20) gemessen wird, wobei das Stoffmischelement (20) umfasst: ein Sichtfenster (23), das an einem ersten Knotenpunkt (P0) auf den Fließweg (21) trifft, wobei das Erfassungsmodul (40) mit dem Stoffmischelement (20) über das Sichtfenster (23) verbunden ist, eine Einlassöffnung (25, 26), die an einem zweiten Knotenpunkt (P1, P2) auf den Fließweg (21) trifft, und eine Prozessgas-Zufuhreinheit (72, 73), die mit dem Fließweg (21) über die Einlassöffnung (25, 26) verbunden und zum Zuführen eines Prozessgases (61, 62) zu dem Fließweg (21) ausgelegt ist, wobei der erste Knotenpunkt (P0) stromaufwärts des zweiten Knotenpunkts (P1, P2) angeordnet ist. A plasma processing system and a method for controlling a plasma in semiconductor fabrication are provided. The system includes a remote plasma module configured to generate a plasma. The system further includes a compound mixing member configured to receive the plasma. The system also includes a processing chamber configured to receive the plasma from the compound mixing member for processing. In addition, the system includes a detection module configured to monitor the plasma in the compound mixing member.