Verfahren zum Betreiben eines chemisch sensitiven Feldeffekttransistors

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Betreiben eines chemisch sensitiven Feldeffekttransistors (1) mit einem Gate-Anschluss (2), dadurch gekennzeichnet, dass zumindest während des Betriebs des Feldeffekttransistors (1) zumindest in einem Teil des Feldeffekttransistors (1) wenigstens ein elektris...

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Main Authors GUILLEN, FRANCISCO HERNANDEZ, GRAF, JUERGEN
Format Patent
LanguageGerman
Published 16.04.2015
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
MEASURING
PHYSICS
SEMICONDUCTOR DEVICES
TESTING
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Abstract Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Betreiben eines chemisch sensitiven Feldeffekttransistors (1) mit einem Gate-Anschluss (2), dadurch gekennzeichnet, dass zumindest während des Betriebs des Feldeffekttransistors (1) zumindest in einem Teil des Feldeffekttransistors (1) wenigstens ein elektrisches Feld derart erzeugt wird, dass zumindest in einem an den Gate-Anschluss (2) angrenzenden Bereich des Feldeffekttransistors (1) vorhandene bewegliche Ionen in vorgebbaren Bereichen des Feldeffekttransistors (1) angereichert und dort gehalten werden.
AbstractList Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Betreiben eines chemisch sensitiven Feldeffekttransistors (1) mit einem Gate-Anschluss (2), dadurch gekennzeichnet, dass zumindest während des Betriebs des Feldeffekttransistors (1) zumindest in einem Teil des Feldeffekttransistors (1) wenigstens ein elektrisches Feld derart erzeugt wird, dass zumindest in einem an den Gate-Anschluss (2) angrenzenden Bereich des Feldeffekttransistors (1) vorhandene bewegliche Ionen in vorgebbaren Bereichen des Feldeffekttransistors (1) angereichert und dort gehalten werden.
Author GRAF, JUERGEN
GUILLEN, FRANCISCO HERNANDEZ
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