Verfahren zum Bilden einer Materialschicht in einer Halbleiterstruktur

Ein Verfahren umfasst ein Abscheiden eines ersten Teils einer ersten Materialschicht auf einer Halbleiterstruktur. Ein erster Durchlauf eines Nachbehandlungsprozesses wird ausgeführt, um mindestens den ersten Teil der ersten Materialschicht zu verändern. Nach dem ersten Durchlauf des Nachbehandlungs...

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Main Authors TRENTZSCH, MARTIN, KROTTENTHALER, PETER, BAYHA, BORIS, GRASS, CARSTEN
Format Patent
LanguageGerman
Published 06.03.2014
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