Verfahren zum Bilden einer Materialschicht in einer Halbleiterstruktur

Ein Verfahren umfasst ein Abscheiden eines ersten Teils einer ersten Materialschicht auf einer Halbleiterstruktur. Ein erster Durchlauf eines Nachbehandlungsprozesses wird ausgeführt, um mindestens den ersten Teil der ersten Materialschicht zu verändern. Nach dem ersten Durchlauf des Nachbehandlungs...

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Main Authors TRENTZSCH, MARTIN, KROTTENTHALER, PETER, BAYHA, BORIS, GRASS, CARSTEN
Format Patent
LanguageGerman
Published 06.03.2014
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Abstract Ein Verfahren umfasst ein Abscheiden eines ersten Teils einer ersten Materialschicht auf einer Halbleiterstruktur. Ein erster Durchlauf eines Nachbehandlungsprozesses wird ausgeführt, um mindestens den ersten Teil der ersten Materialschicht zu verändern. Nach dem ersten Durchlauf des Nachbehandlungsprozesses wird ein zweiter Teil der ersten Materialschicht abgeschieden. Der zweite Teil wird aus im Wesentlichen dem gleichen Material gebildet wie der erste Teil. Nach der Abscheidung des zweiten Teils der ersten Materialschicht wird ein zweiter Durchlauf des Nachbehandlungsprozesses ausgeführt, um mindestens den zweiten Teil der ersten Materialschicht zu verändern
AbstractList Ein Verfahren umfasst ein Abscheiden eines ersten Teils einer ersten Materialschicht auf einer Halbleiterstruktur. Ein erster Durchlauf eines Nachbehandlungsprozesses wird ausgeführt, um mindestens den ersten Teil der ersten Materialschicht zu verändern. Nach dem ersten Durchlauf des Nachbehandlungsprozesses wird ein zweiter Teil der ersten Materialschicht abgeschieden. Der zweite Teil wird aus im Wesentlichen dem gleichen Material gebildet wie der erste Teil. Nach der Abscheidung des zweiten Teils der ersten Materialschicht wird ein zweiter Durchlauf des Nachbehandlungsprozesses ausgeführt, um mindestens den zweiten Teil der ersten Materialschicht zu verändern
Author KROTTENTHALER, PETER
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