Abtrennen unter Verwendung von Teilbereichen einer Stressorschicht

• Main Authors: Sadana, Devendra K, Bedell, Stephen W, Li, Ning, Fogel, Keith E, Lauro, Paul A, Alhomoudi, Ibrahim
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 09.07.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Verfahren zum Bereitstellen einer Halbleiterstruktur, das aufweist:Bereitstellen eines Basissubstrats (10) mit einer gleichmäßigen Dicke und einer planaren obersten Oberfläche (12), die sich über eine Gesamtheit des Basissubstrats (10) hinweg erstreckt;Bilden von Teilbereichen einer Stressorschicht (18), die Formen auf Teilbereichen der obersten Oberfläche (12) des Basissubstrats (10), jedoch nicht auf der gesamten aufweisen, wobei das Bilden der Teilbereiche (18L, 18R) der Stressorschicht (18) aufweist:Bereitstellen einer deckenden Schicht aus Stressormaterial (18) oben auf einer Gesamtheit der obersten Oberfläche (12) des Basissubstrats (10);Strukturieren der deckenden Schicht aus Stressormaterial (18) mittels Lithographie und Ätzen;Bilden eines Handhabungssubstrats (20) oben auf den Teilbereichen der Stressorschicht (18); und danachAbtrennen von Teilbereichen (24L, 24R) von Materialschichten von dem Basissubstrat (10), wobei die Teilbereiche (24L, 24R) der Materialschichten Formen der Teilbereiche (18L, 18R) der Stressorschicht (18) aufweisen und wobei ein verbleibender Teilbereich des Basissubstrats (10) darin befindlichen Öffnungen (26) aufweist, die mit den Formen der Stressorschicht (18) korreliert. A method for spalling local areas of a base substrate utilizing at least one stressor layer portion which is located on a portion, but not all, of an uppermost surface of a base substrate. The method includes providing a base substrate having a uniform thickness and a planar uppermost surface spanning across an entirety of the base substrate. At least one stressor layer portion having a shape is formed on at least a portion, but not all, of the uppermost surface of the base substrate. Spalling is performed which removes a material layer portion from the base substrate and provides a remaining base substrate portion. The material layer portion has the shape of the at least one stressor layer portion, while the remaining base substrate portion has at least one opening located therein which correlates to the shape of the at least one stressor layer.