Optoelektronisches Bauelement

• Main Authors: Tautz, Barbara, Zenger, Marcus, Hartung, Georg
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 02.01.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Optoelektronisches Bauelement (10) mit einem Halbleiterkörper (2), einer ersten Anschlussschicht (4), einer Isolierungsschicht (5) und einer zweiten Anschlussschicht (6), bei dem der Halbleiterkörper einen aktiven Bereich (23) zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung (S) aufweist, und die zweite Anschlussschicht eine erste Teilschicht (61) und eine zweite Teilschicht (62) umfasst, wobei- die Isolierungsschicht die erste Anschlussschicht von der zweiten Anschlussschicht elektrisch isoliert,- die erste Teilschicht in einer vertikalen Richtung zwischen der zweiten Teilschicht und dem Halbleiterkörper angeordnet ist,- in Draufsicht auf den Halbleiterkörper die erste Anschlussschicht mit der ersten Teilschicht überlappt und in einer lateralen Richtung von der zweiten Teilschicht beabstandet ist,- die erste Anschlussschicht eine erste Schichtdicke (D1) aufweist und die zweite Teilschicht eine zweite Schichtdicke (D2) aufweist, wobei sich die erste Schichtdicke und die zweite Schichtdicke höchstens um 20 % voneinander unterscheiden, und- die erste Anschlussschicht zumindest einen Abschnitt (40) aufweist und ein Graben (43) in lateraler Richtung zwischen der Isolierungsschicht und dem zumindest einen Abschnitt der ersten Anschlussschicht ausgebildet ist, wobei in Draufsicht auf den Halbleiterkörper der Graben vollständig mit der ersten Teilschicht überlappt. An optoelectronic component comprising a semiconductor body, a first connection layer, an insulation layer and a second connection layer, wherein the semiconductor body has an active region for generating electromagnetic radiation and the second connection layer comprises a first partial layer and a second partial layer is specified, wherein the insulation layer electrically insulates the first connection layer from the second connection layer, the first partial layer is arranged between the second partial layer and the semiconductor body in a vertical direction, in a plan view of the semiconductor body the first connection layer overlaps the first partial layer and is spaced apart from the second partial layer in a lateral direction, and the first connection layer has a first layer thickness and the second partial layer has a second layer thickness, wherein the first layer thickness and the second layer thickness differ from one another at most by 20%.