Vorrichtung zur Belastungsreduzierung

• Main Authors: Tsai, Kuan-Chi, Chen, Wen-Tsao, Mao, Ming-Ray, Lu, Ying-Ti
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 21.04.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Vorrichtung, umfassend:eine Metallstruktur (218), die über einem Substrat (202) ausgebildet ist;eine dielektrische Zwischenmetallschicht (222), die über dem Substrat ausgebildet ist,wobei ein unterer Abschnitt der Metallstruktur (218) in der dielektrischen Zwischenmetallschicht (222) eingebettet ist;eine Schicht zur Belastungsreduzierung (304), die auf der dielektrischen Zwischenmetallschicht (222) ausgebildet ist, wobei die Schicht zur Belastungsreduzierung (304) eine nicht-vertikale Seitenwand aufweist, und wobei ein oberer Abschnitt der Metallstruktur (218) von der Schicht zur Belastungsreduzierung (304) eingeschlossen ist; undeine Ätzstoppschicht (602), die auf der Schicht zur Belastungsreduzierung (304) undeinem oberen Anschluss der Metallstruktur (218) ausgebildet ist. A device comprises a metal via having a lower portion in a first etch stop layer and an upper portion in a first dielectric layer over a substrate, a second etch stop layer over and in direct contact with the first dielectric layer, a second dielectric layer over and in direct contact with the first etch stop layer, a stress reduction layer over and in direct contact with the second dielectric layer, a third etch stop layer over and in direct contact with the stress reduction layer and a metal structure over the metal via, wherein the metal structure comprises a lower portion in the second etch stop layer and the second dielectric layer and an upper portion in the stress reduction layer.