Vorrichtung zum Bestimmen der Temperatur eines Substrats
Vorrichtung zum Bestimmen der Temperatur eines Substrats (W), während einer Erwärmung durch wenigstens eine erste Strahlungsquelle (8), wobei die Vorrichtung folgendes aufweist: - eine erste Gitterstruktur (16) mit Gitterlinien (18), die für einen wesentlichen Teil der Strahlung der ersten Strahlung...
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Format | Patent |
Language | German |
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17.04.2014
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Abstract | Vorrichtung zum Bestimmen der Temperatur eines Substrats (W), während einer Erwärmung durch wenigstens eine erste Strahlungsquelle (8), wobei die Vorrichtung folgendes aufweist: - eine erste Gitterstruktur (16) mit Gitterlinien (18), die für einen wesentlichen Teil der Strahlung der ersten Strahlungsquelle (8) undurchlässig sind, wobei die Gitterstruktur (16) zwischen der ersten Strahlungsquelle (8) und dem Substrat (W) angeordnet ist; - eine Bewegungseinheit zum Bewegen der ersten Gitterstruktur (16), - einen ersten Strahlungsdetektor (20), der unmittelbar auf die zur Gitterstruktur (16) weisende Oberfläche des Substrats (W) gerichtet ist; - eine Einrichtung zum Bestimmen einer vom Substrat (W) aufgrund seiner Eigentemperatur emittierten Strahlung und der Temperatur des Substrats (W) anhand einer vom ersten Strahlungsdetektor (20) detektierten Strahlung.
An apparatus for determining the temperature of a substrate, in particular of a semiconductor wafer during a heating thereof by means of a first radiation source is described. Furthermore, an apparatus and a method for thermally treating substrates are described, in which the substrate is heated by means of at least one first radiation source. The apparatus comprises a first grating structure having grating lines, which are opaque with respect to a substantial portion of the radiation of the first radiation source, wherein the grating structure is arranged between the first radiation source and the substrate, and a drive unit for moving the first grating structure. Furthermore, a first radiation detector is provided, which is directed directly onto the surface of the substrate facing the grating structure, and a device for determining radiation emitted by the substrate due to its own temperature and for determining the temperature of the substrate on the basis of the radiation detected by the first radiation detector. |
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AbstractList | Vorrichtung zum Bestimmen der Temperatur eines Substrats (W), während einer Erwärmung durch wenigstens eine erste Strahlungsquelle (8), wobei die Vorrichtung folgendes aufweist: - eine erste Gitterstruktur (16) mit Gitterlinien (18), die für einen wesentlichen Teil der Strahlung der ersten Strahlungsquelle (8) undurchlässig sind, wobei die Gitterstruktur (16) zwischen der ersten Strahlungsquelle (8) und dem Substrat (W) angeordnet ist; - eine Bewegungseinheit zum Bewegen der ersten Gitterstruktur (16), - einen ersten Strahlungsdetektor (20), der unmittelbar auf die zur Gitterstruktur (16) weisende Oberfläche des Substrats (W) gerichtet ist; - eine Einrichtung zum Bestimmen einer vom Substrat (W) aufgrund seiner Eigentemperatur emittierten Strahlung und der Temperatur des Substrats (W) anhand einer vom ersten Strahlungsdetektor (20) detektierten Strahlung.
An apparatus for determining the temperature of a substrate, in particular of a semiconductor wafer during a heating thereof by means of a first radiation source is described. Furthermore, an apparatus and a method for thermally treating substrates are described, in which the substrate is heated by means of at least one first radiation source. The apparatus comprises a first grating structure having grating lines, which are opaque with respect to a substantial portion of the radiation of the first radiation source, wherein the grating structure is arranged between the first radiation source and the substrate, and a drive unit for moving the first grating structure. Furthermore, a first radiation detector is provided, which is directed directly onto the surface of the substrate facing the grating structure, and a device for determining radiation emitted by the substrate due to its own temperature and for determining the temperature of the substrate on the basis of the radiation detected by the first radiation detector. |
Author | SKORUPA, WOLFGANG SCHUMANN, THOMAS REICHEL, DENISE GELPEY, JEFF LERCH, WILFRIED |
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