Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung

• Main Authors: MATSUMURA, TAMIO, TSUJINO, TADASHI
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 09.08.2007
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung (100) mit einer Rückseitenoberflächenelektrode beinhaltet: einen Schritt des Vorbereitens eines Halbleiterwafers (1) mit einer vorderen Oberfläche und einer Rückseitenoberfläche; einen thermischen Behandlungsschritt des Ausbildens einer ersten Metallschicht (3) auf der Rückseitenoberfläche des Halbleiterwafers (1) und des Ausführens einer thermischen Behandlung, wodurch ein Ohm'scher Kontakt zwischen dem Halbleiterwafer (1) und der ersten Metallschicht (3) geschaffen wird; und eine Schritt des Ausbildens einer zweiten Metallschicht (5) aus Ni auf der Rückseitenoberfläche des Halbleitersubstrates (1) nach dem thermischen Behandlungsschritt. A method of manufacturing a semiconductor device having a back surface electrode, including: a step of preparing a semiconductor wafer having a front surface and a back surface; a thermal processing step of forming a first metal layer on the back surface of the semiconductor wafer and executing thermal processing, thereby creating an ohmic contact between the semiconductor wafer and the first metal layer; and a step of forming a second metal layer of Ni on the back surface of the semiconductor substrate after the thermal processing step.