Semiconductor memory device e.g. Dynamic RAM, has substrate with active regions in slots, and field separation layer provided at substrate and surrounding regions, where regions in adjacent slots are displaced in direction of one of axes

• Main Authors: MOON, JOO-TAE, GOO, DOO-HOON, CHO, HAN-KU, WOO, SANG-GYUN, YEO, GI-SUNG, BAEK, KYOUNG-YUN
• Format: Patent
• Language: English; German
• Published: 13.04.2006
• Subjects: ELECTRICITY; INFORMATION STORAGE; PHYSICS; STATIC STORES

The device has a substrate with several active regions (102a, 102b). Each region has a length in a direction of an axis and width in the direction of another axis, where the length is larger than the width. The regions are provided in slots, where regions in adjacent slots are displaced in the direction of the latter axis. A field separation layer is provided at the substrate, where the layer surrounds the regions. Eine Halbleiterspeichervorrichtung kann ein Substrat mit einer Mehrzahl von aktiven Regionen und eine Feldtrennschicht an dem Substrat, die die aktiven Regionen des Substrats umgibt, aufweisen. Jede der Mehrzahl von aktiven Regionen kann eine Länge in einer Richtung einer ersten Achse und eine Breite in einer Richtung einer zweiten Achse aufweisen, und die Länge kann größer als die Breite sein. Die Mehrzahl von aktiven Regionen kann in einer Mehrzahl von Spalten von aktiven Regionen in der Richtung der zweiten Achse vorgesehen sein, und aktive Regionen von benachbarten Spalten können in der Richtung der zweiten Achse versetzt sein.