Verfahren zur Herstellung von Charge-trapping-Speicherbauelementen

• Main Authors: LUDWIG, CHRISTOPH, KRAUSE, MATHIAS, SCHLEY, JAN-MALTE, WEIN, GUENTER, ISLER, MARK, SACHSE, JENS-UWE, MACHILL, STEFAN, DEPPE, JOACHIM
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 12.10.2006
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Eine für Charge-trapping vorgesehene Speicherschicht aus Nitrid wird in einer Speicherschichtfolge (3) auf einer Hauptseite eines Substrates (1) angeordnet. Die Oberflächen von Wortleitungsstacks und Zwischenbereichen werden mit einem Oxinitridliner (10) bedeckt. Es werden Seitenwandspacer (13) aus BPSG ausgebildet; oder ein Nitridliner (11) wird zuvor noch abgeschieden, und die Seitenwandspacer (13) werden aus Oxid ausgebildet. Die Spacer werden in einem peripheren Bereich einer Adressierschaltung verwendet, um Source-/Draingebiete (2) zu implantieren. Das Oxinitrid vermindert den Stress zwischen dem Nitrid und dem Halbleitermaterial und verhindert, dass Ladungsträger aus der Speicherschicht in den Liner gelangen. The surfaces of wordline stacks and intermediate areas of a main substrate surface are covered with an oxynitride liner. Either sidewall spacers of BPSG are formed or a further liner of nitride is deposited and spacers of oxide are formed. These spacers are used in a peripheral area of addressing circuitry to implant doped source/drain regions. The oxynitride reduces the stress between the nitride and the semiconductor material and prevents charge carriers from penetrating out of a memory layer of nitride into the liner.