一种兼具减小发散角与散热的垂直腔面发射激光器

一种兼具减小发散角与散热的垂直腔面发射激光器,属于半导体光电子领域。所述激光器包括:n型电极,GaAs衬底,n型布拉格反射镜,n-间隔层,量子阱结构,p-间隔层,p型布拉格反射镜,位于p型布拉格反射镜底部的氧化限制层,隔离层,p型电极,散热机构。本发明设置散热机构,散热机构制备在发光区内,或制备在发光区外,或同时制备在发光区内和发光区外。通过合理设计能够得到器件内部不同的温度差异分布,温差导致材料的折射率差发生变化,得到不同的波导效应,能够得到发散角更小的器件,同时器件的热性能得到明显改善。本发明解决了制备VCSEL过程中,刻蚀上DBR层对器件可靠性造成影响的问题,也解决了大功率VCSEL的散...

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Format Patent
LanguageChinese
Published 04.03.2025
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Summary:一种兼具减小发散角与散热的垂直腔面发射激光器,属于半导体光电子领域。所述激光器包括:n型电极,GaAs衬底,n型布拉格反射镜,n-间隔层,量子阱结构,p-间隔层,p型布拉格反射镜,位于p型布拉格反射镜底部的氧化限制层,隔离层,p型电极,散热机构。本发明设置散热机构,散热机构制备在发光区内,或制备在发光区外,或同时制备在发光区内和发光区外。通过合理设计能够得到器件内部不同的温度差异分布,温差导致材料的折射率差发生变化,得到不同的波导效应,能够得到发散角更小的器件,同时器件的热性能得到明显改善。本发明解决了制备VCSEL过程中,刻蚀上DBR层对器件可靠性造成影响的问题,也解决了大功率VCSEL的散热问题。 The invention discloses a vertical cavity surface emitting laser capable of reducing a divergence angle and dissipating heat, and belongs to the field of semiconductor photoelectrons. The laser comprises an n-type electrode, a GaAs substrate, an n-type Bragg reflector, an n-spacer layer, a quantum well structure, a p-spacer layer, a p-type Bragg reflector, an oxidation limiting layer located at the bottom of the p-type Bragg reflector, an isolation layer, a p-type electrode and a heat dissipation mechanism. The LED lamp is provided with the heat dissipation mechanism, and the heat dissipation mechanism is prepared in the light-emitting area or prepared outside the light-emitting area, or prepared in the light-
Bibliography:Application Number: CN202210552310