MATRIZ DIELÉTRICA COM COEFICIENTE DE TEMPERATURA DA FREQUÊNCIA RESSONANTE (TF) PRÓXIMO DE ZERO NA REGIÃO DE MICRO-ONDAS BASEADA EM CROMATO DE ESTRÔNCIO (SRCRO 4 (SCO)) E OXIDO DE TITÂNIO (TIO2)

MATRIZ DIELÉTRICA COM COEFICIENTE DE TEMPERATURA DA FREQUÊNCIA RESSONANTE(tf) PRÓXIMO DE ZERO NA REGIÃO DE MICRO-ONDAS BASEADA EM CROMATO DE ESTRÔNCIO (SrCrO4(SCO)) E ÓXIDO DE TITÂNIO (TiO2). Nesta patente um novo compósito de cromato de estrôncio (SrCrO4) e com adições de dióxido de titânio (TiO2)...

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Main Authors ANTONIO JEFFERSON OLIVEIRA DA SILVA, HELENILSON DE OLIVEIRA BARROS, MARCELO ANTONIO SANTOS DA SILVA, YGUATYARA DE LUNA MACHADO, ROTERDAN FERNANDES ABREU, ANTONIO SERGIO BEZERRA SOMBRA
Format Patent
LanguagePortuguese
Published 06.12.2022
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Summary:MATRIZ DIELÉTRICA COM COEFICIENTE DE TEMPERATURA DA FREQUÊNCIA RESSONANTE(tf) PRÓXIMO DE ZERO NA REGIÃO DE MICRO-ONDAS BASEADA EM CROMATO DE ESTRÔNCIO (SrCrO4(SCO)) E ÓXIDO DE TITÂNIO (TiO2). Nesta patente um novo compósito de cromato de estrôncio (SrCrO4) e com adições de dióxido de titânio (TiO2) nas proporções de 0%, 4%, 8%, 12%, 16% e 20% foram fabricadas e estudadas na região de micro-ondas. A síntese é realizada através da reação em estado sólido do carbonato de estrôncio (SrCO3) e óxido de cromo(Cr2O3). Após a confirmação da formação da fase, através da técnica de difração de raios - X, o material é prensado, sinterizado e disposto para a mensuração das propriedades dielétricas. O coeficiente de temperatura da frequência de ressonante (tf) da amostra pura apresentou um valor de -34.823 ppm.C°-1. A melhor medida de coeficiente de temperatura da frequência ressonante em relação aos compósitos com TiO2 apresentou um valor de 9,97 ppm.C°-1 e baixa perda dielétrica para concentração de 8% de TiO2 na formulação do compósito. As permissividades dielétricas manifestaram variação de valores entre 6 e 13, causadas pela adição de TiO2, e fatores de perdas na faixa de 10-3 indicando que esse compósito pode ser usado em circuitos componentes que operem na região de micro-ondas, antenas ressoadoras dielétricas (DRA), além de outros componentes eletrônicos de grande importância utilizados em microeletrônica.
Bibliography:Application Number: BR20211010233