GENERACION DE UN ESTADO NO REVERSIBLE EN UNA CELDA DE BITS CON UN PRIMER EMPALME DE TUNEL MAGNETICO Y UN SEGUNDO EMPALME DE TUNEL MAGNETICO

• Main Authors: SUH JUNGWON, LEE KANGHO, MILLENDORF STEVEN M, KIM JUNG PILL, YU NICHOLAS K, RAO HARI M, ZHU XIAOCHUN, HAO WUYANG, KANG SEUNG H, LI XIA, HSU WAH NAM, NOWAK MATTHEW MICHAEL, KIM TAE HYUN, ASHKENAZI ASAF
• Format: Patent
• Language: Spanish
• Published: 12.12.2012
• Subjects: ELECTRICITY; INFORMATION STORAGE; PHYSICS; STATIC STORES

Un método para generar un estado no reversible en una celda de bits con un primer empalme de túnel magnético (MTJ) y un segundo MTJ incluye aplicar un voltaje programado al primer MTJ de la celda de bits sin aplicar el voltaje programado al segundo MTJ de la celda de bits. Un dispositivo de memoria incluye una celda de bits con un primer MTJ y un segundo MTJ y sistemas de circuitos de programación configurados para generar un estado no reversible en la celda de bits al aplicar una señal programada a uno seleccionado del primer MTJ o del segundo MTJ de la celda de bits. A memory device includes a magnetic tunnel junction (MTJ) bitcell. The MTJ bitcell includes a first MTJ and a second MTJ. The memory device further includes programming circuitry configured to generate a non-reversible state at the bitcell by applying a program signal to a selected one of the first MTJ and the second MTJ of the bitcell. The non-reversible state corresponds to a value of the MTJ bitcell that is determined by comparing a first value read at the first MTJ and a second value read at the second MTJ.