忆阻器辐照效应研究现状及发展趋势

• Published in: 核技术 Vol. 45; no. 11; pp. 1 - 12
• Main Authors: 王宇翔, 汤戈, 肖尧, 赵欣雨, 冯鹏, 胡伟
• Format: Journal Article
• Language: Chinese
• Published: 成都理工大学核技术与自动化工程学院 成都 610059%重庆大学光电工程学院 重庆 400044 01.11.2022
• Subjects: 位移损伤; 忆阻器; 辐照效应; 抗辐照加固; 电离损伤

TL99; 记忆电阻器(简称忆阻器)作为新型非易失性存储器和人工神经突触器件的有力候选者,在航空航天、火星探测等空间科学与应用领域有着巨大的发展前景.忆阻器的大规模应用,对于其抗辐照性能有异常严苛的要求.为了提高忆阻器的抗辐照能力,需要探究其辐照效应机理,发展一套有效的抗辐照工艺技术.本文在深入调研国内外研究现状的基础上,综述了忆阻器辐照效应的研究现状和趋势,重点针对过渡金属氧化物材料体系的忆阻器辐照效应,提出了现在亟须研究的科学问题和关键技术,从而为忆阻器抗辐照加固与空间应用提供一定的思路....