AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件

O47%TN36; AlGaN基材料是带隙可调的直接带隙宽禁带半导体材料,是制备紫外(UV)光电子器件的理想材料.经过数十年的研究,目前已经在异质衬底外延生长AlGaN基材料、高效掺杂等方面取得了巨大进展.以此为基础,AlGaN基紫外光电器件制备领域也得到长足发展.在本综述中,主要介绍了高质量AlGaN基材料的MOCVD外延生长方法、掺杂方法以及近年来在紫外发光、紫外探测器件方面取得的进展....

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Published in人工晶体学报 Vol. 49; no. 11; pp. 2046 - 2067
Main Authors 贲建伟, 孙晓娟, 蒋科, 陈洋, 石芝铭, 臧行, 张山丽, 黎大兵, 吕威
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,长春 130033%中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,长春 130033 01.11.2020
长春工业大学,长春 130012
中国科学院大学,材料与光电研究中心,北京 100049%中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,长春 130033
Subjects
外延生长
掺杂
紫外探测
AlGaN基材料
紫外发光器件
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ISSN1000-985X

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Abstract O47%TN36; AlGaN基材料是带隙可调的直接带隙宽禁带半导体材料,是制备紫外(UV)光电子器件的理想材料.经过数十年的研究,目前已经在异质衬底外延生长AlGaN基材料、高效掺杂等方面取得了巨大进展.以此为基础,AlGaN基紫外光电器件制备领域也得到长足发展.在本综述中,主要介绍了高质量AlGaN基材料的MOCVD外延生长方法、掺杂方法以及近年来在紫外发光、紫外探测器件方面取得的进展.
AbstractList O47%TN36; AlGaN基材料是带隙可调的直接带隙宽禁带半导体材料,是制备紫外(UV)光电子器件的理想材料.经过数十年的研究,目前已经在异质衬底外延生长AlGaN基材料、高效掺杂等方面取得了巨大进展.以此为基础,AlGaN基紫外光电器件制备领域也得到长足发展.在本综述中,主要介绍了高质量AlGaN基材料的MOCVD外延生长方法、掺杂方法以及近年来在紫外发光、紫外探测器件方面取得的进展.
Author 陈洋
石芝铭
黎大兵
臧行
孙晓娟
蒋科
吕威
贲建伟
张山丽
AuthorAffiliation 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,长春 130033%中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,长春 130033;中国科学院大学,材料与光电研究中心,北京 100049%中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,长春 130033;长春工业大学,长春 130012
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Author_FL CHEN Yang
LYU Wei
ZHANG Shanli
SUN Xiaojuan
JIANG Ke
ZANG Hang
LI Dabing
SHI Zhiming
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IngestDate Thu May 29 04:04:24 EDT 2025
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