铝源种类对熔盐法制备超细ZnAl2O4粉体的影响

TB383.3; 本文以Al(OH)3、煅烧Al2 O3和纳米Al2 O3为铝源,在KCl和LiCl的混合熔盐介质中,800～1200℃温度范围内保温3 h合成超细ZnAl2 O4粉体.采用XRD、SEM、激光粒度仪和比表面分析仪等重点分析了铝源种类对ZnAl2 O4粉体合成温度、产物物相组成以及显微形貌的影响.在此基础上探讨了反应温度、熔盐与原料的质量比(Ws/Wr)对粉体合成的影响.结果表明:铝源种类显著影响ZnAl2 O4的开始形成温度和粉体性能,相比于煅烧Al2 O3,以Al(OH)3和纳米Al2 O3为铝源生成ZnAl2 O4的速率较快,在900℃时即可合成出单相ZnAl2 O4.以...

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Published in人工晶体学报 Vol. 50; no. 12; pp. 2347 - 2353
Main Authors 黄德鹏, 许欢, 刘江波, 付应文, 周振鹏
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 九江学院材料科学与工程学院,九江 332005%浙江自力高温科技股份有限公司,绍兴 312000 01.12.2021
Subjects
ZnAl2O4;熔盐法;熔盐介质;铝源种类;物相组成;显微形貌
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Abstract TB383.3; 本文以Al(OH)3、煅烧Al2 O3和纳米Al2 O3为铝源,在KCl和LiCl的混合熔盐介质中,800～1200℃温度范围内保温3 h合成超细ZnAl2 O4粉体.采用XRD、SEM、激光粒度仪和比表面分析仪等重点分析了铝源种类对ZnAl2 O4粉体合成温度、产物物相组成以及显微形貌的影响.在此基础上探讨了反应温度、熔盐与原料的质量比(Ws/Wr)对粉体合成的影响.结果表明:铝源种类显著影响ZnAl2 O4的开始形成温度和粉体性能,相比于煅烧Al2 O3,以Al(OH)3和纳米Al2 O3为铝源生成ZnAl2 O4的速率较快,在900℃时即可合成出单相ZnAl2 O4.以煅烧Al2 O3粉为铝源,当Ws/Wr为3:1时,在1000℃合成ZnAl2 O4粉体的分散性最佳,而温度过高易造成粉体团聚长大.适当的Ws/Wr有利于ZnAl2 O4的生成,当Ws/Wr为4:1时合成的ZnAl2 O4粒径最小.ZnAl2 O4粉体均在一定程度保持着初始铝源的尺寸和形貌,表明熔盐法合成ZnAl2 O4的机理主要遵循着"模板合成机理".
AbstractList TB383.3; 本文以Al(OH)3、煅烧Al2 O3和纳米Al2 O3为铝源,在KCl和LiCl的混合熔盐介质中,800～1200℃温度范围内保温3 h合成超细ZnAl2 O4粉体.采用XRD、SEM、激光粒度仪和比表面分析仪等重点分析了铝源种类对ZnAl2 O4粉体合成温度、产物物相组成以及显微形貌的影响.在此基础上探讨了反应温度、熔盐与原料的质量比(Ws/Wr)对粉体合成的影响.结果表明:铝源种类显著影响ZnAl2 O4的开始形成温度和粉体性能,相比于煅烧Al2 O3,以Al(OH)3和纳米Al2 O3为铝源生成ZnAl2 O4的速率较快,在900℃时即可合成出单相ZnAl2 O4.以煅烧Al2 O3粉为铝源,当Ws/Wr为3:1时,在1000℃合成ZnAl2 O4粉体的分散性最佳,而温度过高易造成粉体团聚长大.适当的Ws/Wr有利于ZnAl2 O4的生成,当Ws/Wr为4:1时合成的ZnAl2 O4粒径最小.ZnAl2 O4粉体均在一定程度保持着初始铝源的尺寸和形貌,表明熔盐法合成ZnAl2 O4的机理主要遵循着"模板合成机理".
Author 付应文
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Issue 12
Keywords ZnAl2O4;熔盐法;熔盐介质;铝源种类;物相组成;显微形貌
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