重离子辐照引发的25 nm NAND Flash存储器数据位翻转 - 盛江坤; 许鹏; 邱孟通; 丁李利; 罗尹虹; 姚志斌; 张凤祁; 缑石龙; 王祖军 (原子能科学技术, 2023)
Keywords: floating gate; NAND Flash; 注量相关性; 多单元翻转; fluence dependence; heavy ion irradiation; 浮栅; multiple-cell upsets; 重离子辐照