盛江坤, 许鹏, 邱孟通, 丁李利, 罗尹虹, 姚志斌, . . . 王祖军. (2023). 重离子辐照引发的25 nm NAND Flash存储器数据位翻转. 原子能科学技术, 57(12), 2264-2273. https://doi.org/10.7538/yzk.2023.youxian.0688
Chicago Style (17th ed.) Citation盛江坤, 许鹏, 邱孟通, 丁李利, 罗尹虹, 姚志斌, 张凤祁, 缑石龙, and 王祖军. "重离子辐照引发的25 Nm NAND Flash存储器数据位翻转." 原子能科学技术 57, no. 12 (2023): 2264-2273. https://doi.org/10.7538/yzk.2023.youxian.0688.
MLA (9th ed.) Citation盛江坤, et al. "重离子辐照引发的25 Nm NAND Flash存储器数据位翻转." 原子能科学技术, vol. 57, no. 12, 2023, pp. 2264-2273, https://doi.org/10.7538/yzk.2023.youxian.0688.
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