二维金属与CrCl3接触的界面性质

O472; 为了调控金属与CrCl3界面处的势垒,提出二维金属MX2(M=V,Nb;X=S,Se,Te)作为电极与CrCl3形成范德华接触的方法.采用密度泛函理论研究CrCl3/MX2接触界面的电学性质.结果表明:CrCl3/VS2、CrCl3/VSe2和CrCl3/NbTe2形成n型肖特基接触,其n型肖特基势垒值分别为0.49、0.15和0.14 eV;CrCl3/NbS2和CrCl3/NbSe2形成p型肖特基接触,其p型肖特基势垒值分别为0.49和0.65 eV;CrCl3/VTe2形成欧姆接触.CrCl3/MX2界面处可忽略的金属诱导间隙态和较小的界面偶极表明,CrCl3/MX2中存在较...

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Published in东南大学学报（自然科学版） Vol. 54; no. 4; pp. 1037 - 1045
Main Authors 施永飞, 胡艳梅, 胡小会
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 中国船舶集团有限公司第八研究院,南京 211153%南京工业大学材料科学与工程学院,南京 211816 01.07.2024
Subjects
electrical properties
界面
电学性质
肖特基势垒
two-dimensional materials
interface
二维材料
Schottky barrier
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ISSN1001-0505
DOI10.3969/j.issn.1001-0505.2024.04.029

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Summary:O472; 为了调控金属与CrCl3界面处的势垒,提出二维金属MX2(M=V,Nb;X=S,Se,Te)作为电极与CrCl3形成范德华接触的方法.采用密度泛函理论研究CrCl3/MX2接触界面的电学性质.结果表明:CrCl3/VS2、CrCl3/VSe2和CrCl3/NbTe2形成n型肖特基接触,其n型肖特基势垒值分别为0.49、0.15和0.14 eV;CrCl3/NbS2和CrCl3/NbSe2形成p型肖特基接触,其p型肖特基势垒值分别为0.49和0.65 eV;CrCl3/VTe2形成欧姆接触.CrCl3/MX2界面处可忽略的金属诱导间隙态和较小的界面偶极表明,CrCl3/MX2中存在较弱的费米能级钉扎效应,从而使肖特基势垒高度可以在较大范围可调.因此,通过选择不同功函数的二维金属电极,在CrCl3/MX2接触结构中能够实现接触类型和肖特基势垒高度的调控.研究结果有助于理解不同二维金属电极对CrCl3/MX2接触的势垒调控.
ISSN:1001-0505
DOI:10.3969/j.issn.1001-0505.2024.04.029