连续吸波SiC纤维增强SiOC陶瓷基复合材料的高温吸波性能

TB33; 利用带原位BN涂层的吸波SiC纤维为增强体,以硅氧碳(SiOC)陶瓷为基体,采用先驱体浸渍裂解(precursor infiltration pyrolysis,PIP)工艺制备SiC-BN/SiOC陶瓷基复合材料.在7个PIP制备周期后复合材料实现致密化,密度为2.05 g/cm3,孔隙率为4.28％.采用矢量网络分析仪测试介电常数,结合传输线理论对复合材料在8.2～18 GHz下室温至800 ℃的吸波性能进行计算优化.结果表明:SiC-BN/SiOC复合材料的室温介电常数呈现出明显的频散效应,使其具有良好的宽频吸波特性.当复合材料厚度为2.1 mm时,在X波段和Ku波段反射损耗...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in材料工程 Vol. 53; no. 1; pp. 81 - 90
Main Authors 施巧英, 李静丹, 甘念渝, 李思维
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 厦门大学材料学院福建省先进材料重点实验室,福建厦门 361005 20.01.2025
厦门大学高性能陶瓷纤维教育部重点实验室,福建厦门 361005
Subjects
微波吸收
SiOC ceramic
composite
复合材料
介电常数
SiOC陶瓷
dielectric constant
microwave absorption
SiC纤维
SiC fiber
Online AccessGet full text
ISSN1001-4381
DOI10.11868/j.issn.1001-4381.2024.000140

Cover

More Information
Summary:TB33; 利用带原位BN涂层的吸波SiC纤维为增强体,以硅氧碳(SiOC)陶瓷为基体,采用先驱体浸渍裂解(precursor infiltration pyrolysis,PIP)工艺制备SiC-BN/SiOC陶瓷基复合材料.在7个PIP制备周期后复合材料实现致密化,密度为2.05 g/cm3,孔隙率为4.28％.采用矢量网络分析仪测试介电常数,结合传输线理论对复合材料在8.2～18 GHz下室温至800 ℃的吸波性能进行计算优化.结果表明:SiC-BN/SiOC复合材料的室温介电常数呈现出明显的频散效应,使其具有良好的宽频吸波特性.当复合材料厚度为2.1 mm时,在X波段和Ku波段反射损耗优于-10 dB的最大频宽为5.7 GHz.此外,复合材料的复介电常数实部和虚部随着环境温度的升高而增大.在宽频反射损耗优于-5 dB的水平下,材料的最优厚度由2.3 mm(200 ℃)降至1.1 mm(800 ℃).
ISSN:1001-4381
DOI:10.11868/j.issn.1001-4381.2024.000140