中波碲镉汞雪崩光电二极管的增益特性

TN215; 采用不同工艺制备了中波碲镉汞(HgCdTe)雪崩二极管(APD)器件,利用不同方法对其结特性和增益随偏压变化关系进行了表征,并基于Beck模型和肖克莱解析式进行了拟合分析.结果表明,不同工艺制备的APD器件饱和耗尽区宽度分别为1.2 μm和2.5 μm,较宽的耗尽层有效抑制了高反偏下器件的隧道电流,器件有效增益则从近100提高至1000以上.用肖克莱解析式拟合HgCdTe APD器件增益-偏压曲线,获得了较好的效果.拟合结果与Sofradir公司的J.Rothman的报道相似....

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Published in红外与毫米波学报 Vol. 38; no. 2; pp. 175 - 181
Main Authors 李雄军, 韩福忠, 李立华, 李东升, 胡彦博, 杨登泉, 杨超伟, 孔金丞, 舒恂, 庄继胜, 赵俊
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 昆明物理研究所,云南昆明,650223 01.04.2019
Subjects
雪崩光电二极管
中波碲镉汞
C-V
增益
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ISSN1001-9014
DOI10.11972/j.issn.1001-9014.2019.02.009

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Summary:TN215; 采用不同工艺制备了中波碲镉汞(HgCdTe)雪崩二极管(APD)器件,利用不同方法对其结特性和增益随偏压变化关系进行了表征,并基于Beck模型和肖克莱解析式进行了拟合分析.结果表明,不同工艺制备的APD器件饱和耗尽区宽度分别为1.2 μm和2.5 μm,较宽的耗尽层有效抑制了高反偏下器件的隧道电流,器件有效增益则从近100提高至1000以上.用肖克莱解析式拟合HgCdTe APD器件增益-偏压曲线,获得了较好的效果.拟合结果与Sofradir公司的J.Rothman的报道相似.
ISSN:1001-9014
DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2019.02.009