傅里叶变换红外拉曼光谱检测半导体薄膜下衬底特性
O433.1%O433.4; 高质量半导体薄膜是制备高性能光电器件的基础,其光电子性质很大程度受衬底所制约,实验检测薄膜下衬底性质,有助于薄膜生长优化.然而,表面薄膜覆盖后的衬底特性检测通常受到严重制约.报道一种傅里叶变换拉曼光谱方法,利用低光子能量红外激发光的深穿透特性,降低薄膜影响,有效获取薄膜下半导体衬底的拉曼散射信息.GaAs上外延CdTe薄膜演示分析表明,相对于常规拉曼光谱方法,CdTe薄膜拉曼散射被抑制而GaAs衬底信号得到显著增强,光谱信噪比超过70,可为半导体薄膜下衬底的实验测试乃至多层半导体纵向结构表征的有效新途径....
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| Published in | 红外与毫米波学报 Vol. 40; no. 1; pp. 50 - 55 |
|---|---|
| Main Authors | , , , |
| Format | Journal Article |
| Language | Chinese |
| Published |
上海理工大学材料科学与工程学院,上海200093
01.02.2021
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083%中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083%上海理工大学材料科学与工程学院,上海200093 |
| Subjects | |
| Online Access | Get full text |
| ISSN | 1001-9014 |
| DOI | 10.11972/j.issn.1001-9014.2021.01.009 |
Cover
| Abstract | O433.1%O433.4; 高质量半导体薄膜是制备高性能光电器件的基础,其光电子性质很大程度受衬底所制约,实验检测薄膜下衬底性质,有助于薄膜生长优化.然而,表面薄膜覆盖后的衬底特性检测通常受到严重制约.报道一种傅里叶变换拉曼光谱方法,利用低光子能量红外激发光的深穿透特性,降低薄膜影响,有效获取薄膜下半导体衬底的拉曼散射信息.GaAs上外延CdTe薄膜演示分析表明,相对于常规拉曼光谱方法,CdTe薄膜拉曼散射被抑制而GaAs衬底信号得到显著增强,光谱信噪比超过70,可为半导体薄膜下衬底的实验测试乃至多层半导体纵向结构表征的有效新途径. |
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| AbstractList | O433.1%O433.4; 高质量半导体薄膜是制备高性能光电器件的基础,其光电子性质很大程度受衬底所制约,实验检测薄膜下衬底性质,有助于薄膜生长优化.然而,表面薄膜覆盖后的衬底特性检测通常受到严重制约.报道一种傅里叶变换拉曼光谱方法,利用低光子能量红外激发光的深穿透特性,降低薄膜影响,有效获取薄膜下半导体衬底的拉曼散射信息.GaAs上外延CdTe薄膜演示分析表明,相对于常规拉曼光谱方法,CdTe薄膜拉曼散射被抑制而GaAs衬底信号得到显著增强,光谱信噪比超过70,可为半导体薄膜下衬底的实验测试乃至多层半导体纵向结构表征的有效新途径. |
| Author | 陈熙仁 余灯广 邵军 王炜 |
| AuthorAffiliation | 上海理工大学材料科学与工程学院,上海200093;中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083%中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083%上海理工大学材料科学与工程学院,上海200093 |
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| DOI | 10.11972/j.issn.1001-9014.2021.01.009 |
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| Keywords | CdTe/GaAs薄膜 红外拉曼 信噪比 傅里叶变换 |
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| PublicationDecade | 2020 |
| PublicationTitle | 红外与毫米波学报 |
| PublicationTitle_FL | Journal of Infrared and Millimeter Waves |
| PublicationYear | 2021 |
| Publisher | 上海理工大学材料科学与工程学院,上海200093 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083%中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083%上海理工大学材料科学与工程学院,上海200093 |
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