溴基钙钛矿量子点发光二极管的制备及性能优化

• Published in: 深圳大学学报（理工版） Vol. 40; no. 6; pp. 688 - 695
• Main Authors: 陈嘉敏, 崔向前, 胡陆峰, 叶志祥, 王宁, 李波波, 仇明侠
• Format: Journal Article
• Language: Chinese
• Published: 深圳技术大学新材料与新能源学院,广东深圳 518118 2023; 深圳大学应用技术学院,广东深圳 518060%深圳技术大学新材料与新能源学院,广东深圳 518118
• Subjects: FASn0.3Pb0.7Br3钙钛矿量子点; 量子点发光二极管; ligand-assisted reprecipitation; 光电子学; FASn0.3Pb0.7Br3 perovskite quantum dots; hole transport layer; 空穴传输层; CsPbBr3 perovskite quantum dots; quantum dot light-emitting diode; CsPbBr3钙钛矿量子点; optoelectronics; 配体辅助再沉淀法
• ISSN: 1000-2618
• DOI: 10.3724/SP.J.1249.2023.06688

O649%D430.35; 为了研究量子点发光层薄膜厚度对钙钛矿量子点发光二极管(perovskite quantum dot light-emitting diodes,PeLED)电-光转换效率的影响,采用配体辅助再沉淀法(ligand assisted reprecipitation,LARP)室温合成铯铅溴(CsPbBr3)钙钛矿量子点,并用其制备出稳定绿光发射的PeLED.通过比较不同发光层厚度CsPbBr3 PeLEDs的发光效率,获得量子点发光层的最佳膜厚为43.2 nm.采用CsPbBr3 作为PeLED发光层时的器件外量子效率(external quantum efficiency,EQE)较低,为提高PeLED的电-光转换效率,用FASn0.3Pb0.7Br3量子点替代CsPbBr3作为发光层,并选用聚乙烯基咔唑(polyvinylcarbazole,PVK)、聚[(N,N'-(4-正丁基苯基)-N,N'-二苯基-1,4-苯二胺)-ALT-(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)](poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-alt-(4,4'-(N-(4-butylphenyl)))],TFB)、聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺](poly[N,N'-bis(4-butylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzi,Poly-TPD)和聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺](poly[bis(4-phenyl)(2,4,6-triMethylphenyl)aMine,PTAA])等4种不同的空穴传输层.光致发光光谱和电学性能测试结果表明,空穴传输层为TFB时,FASn0.3Pb0.7Br3 PeLED由于具有较高的空穴迁移率,EQE最高可达4.2%.实验结果证明TFB适于作为FASn0.3Pb0.7Br3 PeLED的空穴传输层材料.