分子束外延高铟组分InGaAs薄膜研究

TN215; 研究了分子束外延生长条件对高铟组分InGaAs材料性能的影响,分析了生长温度、V/III比和As分子束形态对In0.74Ga0.26As材料光致发光和X射线衍射峰强度、本底载流子浓度和迁移率的影响.测试结果表明:适中的生长温度和V/III比可以提高材料晶格质量,减少非辐射复合,降低本底杂质浓度.As分子束为As2时In0.74Ga0.26As材料质量优于As4分子束.当生长温度为570℃,As分子束形态为As2,V/III比为18时,可以获得较高的光致发光和X射线衍射峰强度,室温和77 K下的本底载流子浓度分别达到6.3×1014 cm-3和4.0×1014 cm-3,迁移率分别...

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Published in红外与毫米波学报 Vol. 41; no. 6; pp. 987 - 994
Main Authors 杨瑛, 王红真, 范柳燕, 陈平平, 刘博文, 贺训军, 顾溢, 马英杰, 李淘, 邵秀梅, 李雪
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海200083%中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海200083%中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083%哈尔滨理工大学电气与电子工程学院,黑龙江哈尔滨150080 01.12.2022
哈尔滨理工大学电气与电子工程学院,黑龙江哈尔滨150080
Subjects
InGaAs
高铟组分
分子束外延
短波红外
迁移率
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ISSN1001-9014
DOI10.11972/j.issn.1001-9014.2022.06.007

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Summary:TN215; 研究了分子束外延生长条件对高铟组分InGaAs材料性能的影响,分析了生长温度、V/III比和As分子束形态对In0.74Ga0.26As材料光致发光和X射线衍射峰强度、本底载流子浓度和迁移率的影响.测试结果表明:适中的生长温度和V/III比可以提高材料晶格质量,减少非辐射复合,降低本底杂质浓度.As分子束为As2时In0.74Ga0.26As材料质量优于As4分子束.当生长温度为570℃,As分子束形态为As2,V/III比为18时,可以获得较高的光致发光和X射线衍射峰强度,室温和77 K下的本底载流子浓度分别达到6.3×1014 cm-3和4.0×1014 cm-3,迁移率分别达到13400 cm2/Vs和45160 cm2/Vs.
ISSN:1001-9014
DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2022.06.007