室温中波红外碲镉汞探测器激光辐照饱和特性的仿真

O471.5%TN305.3; 针对室温工作的光伏型碲镉汞中波红外探测器激光辐照饱和特性进行了仿真,结果表明,中红外激光对碲镉汞材料的加热效应以及光照导致零偏压阻抗降低,是影响探测器输出量子效率的重要因素.利用一维数值仿真方法,建立了室温碲镉汞pn结的模型,计算了稳态激光辐照下器件量子效率以及零偏压阻抗.理论计算了激光辐照下的稳态温度分布近似模型,并将温度场分布耦合到仿真计算中,发现衬底厚度会影响芯片的温升,从而显著影响器件饱和阈值的大小.另外,计算表明,随着光照强度的增加,器件的零偏压阻抗降低,并将仿真结果与实测芯片参数进行了比较.计算分析为设计高饱和辐照度阈值的中波红外碲镉汞探测器提供了参...

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Published in红外与毫米波学报 Vol. 42; no. 2; pp. 143 - 148
Main Authors 李向阳, 桑茂盛, 徐国庆, 乔辉, 储开慧, 杨晓阳, 杨鹏翎, 王大辉
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 中国科学院大学,北京100049%西北核技术研究所,陕西 西安 710024 01.04.2023
中国科学院上海技术物理研究所,上海200083%中国科学院上海技术物理研究所,上海200083
Subjects
饱和特性
温度场
激光辐照
数值仿真
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ISSN1001-9014
DOI10.11972/j.issn.1001-9014.2023.02.001

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Abstract O471.5%TN305.3; 针对室温工作的光伏型碲镉汞中波红外探测器激光辐照饱和特性进行了仿真,结果表明,中红外激光对碲镉汞材料的加热效应以及光照导致零偏压阻抗降低,是影响探测器输出量子效率的重要因素.利用一维数值仿真方法,建立了室温碲镉汞pn结的模型,计算了稳态激光辐照下器件量子效率以及零偏压阻抗.理论计算了激光辐照下的稳态温度分布近似模型,并将温度场分布耦合到仿真计算中,发现衬底厚度会影响芯片的温升,从而显著影响器件饱和阈值的大小.另外,计算表明,随着光照强度的增加,器件的零偏压阻抗降低,并将仿真结果与实测芯片参数进行了比较.计算分析为设计高饱和辐照度阈值的中波红外碲镉汞探测器提供了参考.
AbstractList O471.5%TN305.3; 针对室温工作的光伏型碲镉汞中波红外探测器激光辐照饱和特性进行了仿真,结果表明,中红外激光对碲镉汞材料的加热效应以及光照导致零偏压阻抗降低,是影响探测器输出量子效率的重要因素.利用一维数值仿真方法,建立了室温碲镉汞pn结的模型,计算了稳态激光辐照下器件量子效率以及零偏压阻抗.理论计算了激光辐照下的稳态温度分布近似模型,并将温度场分布耦合到仿真计算中,发现衬底厚度会影响芯片的温升,从而显著影响器件饱和阈值的大小.另外,计算表明,随着光照强度的增加,器件的零偏压阻抗降低,并将仿真结果与实测芯片参数进行了比较.计算分析为设计高饱和辐照度阈值的中波红外碲镉汞探测器提供了参考.
Author 杨鹏翎
王大辉
储开慧
徐国庆
杨晓阳
桑茂盛
李向阳
乔辉
AuthorAffiliation 中国科学院上海技术物理研究所,上海200083%中国科学院上海技术物理研究所,上海200083;中国科学院大学,北京100049%西北核技术研究所,陕西 西安 710024
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