C含量对间隙固溶Cu-C薄膜微结构、硬度及电阻率的影响
TG174.444%TG146.1+1; 采用双靶磁控共溅射方法制备了一系列不同C含量的Cu-C薄膜,采用X射线衍射仪、透射电子显微镜、纳米压痕仪和四探针电阻仪表征了薄膜微结构、力学性能及其电阻率.结果表明:在溅射粒子高分散性和薄膜生长非平衡性的共同作用下,Cu-C薄膜形成过饱和间隙固溶体.剧烈的晶格畸变使薄膜的晶粒细化,其硬度相应提高.随着C含量的增加,薄膜的硬度逐渐提高,当C含量为8.2 at.% 时,由纯Cu薄膜硬度2.8GPa提高到4.3 GPa.与此同时,薄膜电阻率仅由纯Cu薄膜的2.0μΩ·cm到提高到10.7μΩ·cm,远低于其他置换型Cu基固溶体的电阻率.研究结果表明,相对于其...
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Published in | 功能材料 Vol. 51; no. 6; pp. 91 - 95 |
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Main Authors | , , , , |
Format | Journal Article |
Language | Chinese |
Published |
上海电机学院 材料学院,上海 201306
30.06.2020
上海电机学院 上海大件热制造工程技术研究中心,上海 201306 上海理工大学 材料科学与工程学院,上海,200093%上海电机学院 材料学院,上海,201306%上海理工大学 材料科学与工程学院,上海 200093 |
Subjects | |
Online Access | Get full text |
ISSN | 1001-9731 |
DOI | 10.3969/j.issn.1001-9731.2020.06.015 |
Cover
Abstract | TG174.444%TG146.1+1; 采用双靶磁控共溅射方法制备了一系列不同C含量的Cu-C薄膜,采用X射线衍射仪、透射电子显微镜、纳米压痕仪和四探针电阻仪表征了薄膜微结构、力学性能及其电阻率.结果表明:在溅射粒子高分散性和薄膜生长非平衡性的共同作用下,Cu-C薄膜形成过饱和间隙固溶体.剧烈的晶格畸变使薄膜的晶粒细化,其硬度相应提高.随着C含量的增加,薄膜的硬度逐渐提高,当C含量为8.2 at.% 时,由纯Cu薄膜硬度2.8GPa提高到4.3 GPa.与此同时,薄膜电阻率仅由纯Cu薄膜的2.0μΩ·cm到提高到10.7μΩ·cm,远低于其他置换型Cu基固溶体的电阻率.研究结果表明,相对于其他置换型原子,间隙型C原子的添加在提高Cu基薄膜力学性能的同时具有更好的导电性. |
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AbstractList | TG174.444%TG146.1+1; 采用双靶磁控共溅射方法制备了一系列不同C含量的Cu-C薄膜,采用X射线衍射仪、透射电子显微镜、纳米压痕仪和四探针电阻仪表征了薄膜微结构、力学性能及其电阻率.结果表明:在溅射粒子高分散性和薄膜生长非平衡性的共同作用下,Cu-C薄膜形成过饱和间隙固溶体.剧烈的晶格畸变使薄膜的晶粒细化,其硬度相应提高.随着C含量的增加,薄膜的硬度逐渐提高,当C含量为8.2 at.% 时,由纯Cu薄膜硬度2.8GPa提高到4.3 GPa.与此同时,薄膜电阻率仅由纯Cu薄膜的2.0μΩ·cm到提高到10.7μΩ·cm,远低于其他置换型Cu基固溶体的电阻率.研究结果表明,相对于其他置换型原子,间隙型C原子的添加在提高Cu基薄膜力学性能的同时具有更好的导电性. |
Author | 马冰洋 李荣斌 尚海龙 付彦鹏 冉准 |
AuthorAffiliation | 上海理工大学 材料科学与工程学院,上海,200093%上海电机学院 材料学院,上海,201306%上海理工大学 材料科学与工程学院,上海 200093;上海电机学院 材料学院,上海 201306;上海电机学院 上海大件热制造工程技术研究中心,上海 201306 |
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Issue | 6 |
Keywords | 力学性能 微结构 Cu-C薄膜 电阻率 |
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PublicationYear | 2020 |
Publisher | 上海电机学院 材料学院,上海 201306 上海电机学院 上海大件热制造工程技术研究中心,上海 201306 上海理工大学 材料科学与工程学院,上海,200093%上海电机学院 材料学院,上海,201306%上海理工大学 材料科学与工程学院,上海 200093 |
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