VCrAl1.21Ni0.93Co1.85高熵合金中间层真空扩散连接TC4钛合金和T2铜

TG453; 根据伪二元合金设计策略和共晶高熵合金设计理念,设计并制备了 VCrAl1.21Ni0.93Co1.85共晶高熵合金中间层用于真空扩散连接TC4钛合金和T2铜,研究了不同连接温度对TC4/T2扩散连接接头微观组织和力学性能的影响规律.结果表明,所有接头界面结合良好无缺陷产生,在TC4侧的连接界面附近发生了部分相变,由a-Ti向β-Ti进行转变,并且形成了部分魏氏体组织.Ti2(Co,Ni),Ti2(V,Cr,Al),Ti(V,Cr,Co)和(V,Cr)(Al,Ni,Co)相形成在 TC4/VCrAl1.21Ni0.93Co1.85 界面上,而VCrAl1.21Ni0.93Co1.8...

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Published in焊接学报 Vol. 45; no. 9; pp. 1 - 13
Main Authors 吴宝生, 李鹏, 马月婷, 董红刚
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 大连理工大学,材料科学与工程学院,大连,116024 01.09.2024
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ISSN0253-360X
DOI10.12073/j.hjxb.20230905001

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Summary:TG453; 根据伪二元合金设计策略和共晶高熵合金设计理念,设计并制备了 VCrAl1.21Ni0.93Co1.85共晶高熵合金中间层用于真空扩散连接TC4钛合金和T2铜,研究了不同连接温度对TC4/T2扩散连接接头微观组织和力学性能的影响规律.结果表明,所有接头界面结合良好无缺陷产生,在TC4侧的连接界面附近发生了部分相变,由a-Ti向β-Ti进行转变,并且形成了部分魏氏体组织.Ti2(Co,Ni),Ti2(V,Cr,Al),Ti(V,Cr,Co)和(V,Cr)(Al,Ni,Co)相形成在 TC4/VCrAl1.21Ni0.93Co1.85 界面上,而VCrAl1.21Ni0.93Co1.85/T2界面上形成了(V,Cr)(Al,Ni,Co)和(V,Cr)(Cu,Ni,Co)3相.界面上形成高熵微观组织结构起到高熵固溶强化作用,扩散层Ⅰ和Ⅱ对应的生长激活能分别为229 kJ/mol和191 kJ/mol,接头抗剪强度在880 ℃时达到最大为194 MPa,接头主要沿着BCC基体相和B2相交替位置断裂,断口表面出现河流花样特征,属于一种典型的解理断裂模式.
ISSN:0253-360X
DOI:10.12073/j.hjxb.20230905001