GaAlAs半導体レーザーの象牙質・歯髄複合体に対する硬組織形成促進作用

GaAlAs半導体レーザー（810 nm）は象牙質・歯髄複合体での硬組織形成を促進させることから，歯髄保存療法の予知性向上に寄与する可能性がある．その機構は，歯髄の可逆性組織傷害に対する修復機転に基づくと思われるが，詳細は明らかでない．そこで著者らは，同レーザーをラット臼歯に照射後，象牙芽細胞分化マーカー（熱ショックタンパク25）発現細胞の挙動や非コラーゲン性基質タンパク質の発現動態を解析した．本稿ではその成績を概説するとともに，同レーザーによる硬組織形成促進機構を考察する．...

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Bibliographic Details
Published in日本レーザー医学会誌 Vol. 43; no. 2; pp. 113 - 119
Main Authors 大島, 勇人, 興地, 隆史, 重谷, 佳見, 吉羽, 邦彦
Format Journal Article
LanguageJapanese
Published 特定非営利活動法人 日本レーザー医学会 15.07.2022
日本レーザー医学会
Subjects
GaAlAs半導体レーザー
修復象牙質形成
熱ショックタンパク25
象牙質・歯髄複合体
非コラーゲン性基質タンパク質
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ISSN0288-6200
1881-1639
DOI10.2530/jslsm.jslsm-43_0015

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Summary:GaAlAs半導体レーザー（810 nm）は象牙質・歯髄複合体での硬組織形成を促進させることから，歯髄保存療法の予知性向上に寄与する可能性がある．その機構は，歯髄の可逆性組織傷害に対する修復機転に基づくと思われるが，詳細は明らかでない．そこで著者らは，同レーザーをラット臼歯に照射後，象牙芽細胞分化マーカー（熱ショックタンパク25）発現細胞の挙動や非コラーゲン性基質タンパク質の発現動態を解析した．本稿ではその成績を概説するとともに，同レーザーによる硬組織形成促進機構を考察する．
ISSN:0288-6200
1881-1639
DOI:10.2530/jslsm.jslsm-43_0015