池野, 進., 蓮覚寺, 聖., 松田, 健., 品川, 不., 上谷, 保., & 片山, 暢. (1997). Si過剰型Al–1%Mg2Si系合金の粒界近傍における局部変形の時効温度による変化. 軽金属, 47(9), 475-480. https://doi.org/10.2464/jilm.47.475
Chicago Style (17th ed.) Citation池野, 進, 聖一 蓮覚寺, 健二 松田, 不二雄 品川, 保裕 上谷, and 暢 片山. "Si過剰型Al–1%Mg2Si系合金の粒界近傍における局部変形の時効温度による変化." 軽金属 47, no. 9 (1997): 475-480. https://doi.org/10.2464/jilm.47.475.
MLA (9th ed.) Citation池野, 進, et al. "Si過剰型Al–1%Mg2Si系合金の粒界近傍における局部変形の時効温度による変化." 軽金属, vol. 47, no. 9, 1997, pp. 475-480, https://doi.org/10.2464/jilm.47.475.
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