反応性スパッタリング法によるメタルゲート電極形成技術
メタルゲート電極形成が,ゲート絶縁膜リーク電流や信頼性に及ぼす影響を評価した.スパッタリング法によるWゲートたい積では,表面への物理ダメージにより絶縁膜特性が劣化した.一方,窒素ガスを用いた反応性スパッタリング法によるWNx. ゲートたい積では,たい積工程中の絶縁膜表面窒化により絶縁膜特性劣化が抑制された.これは電極たい積時に形成された絶縁膜表面のダングリングボンドが,窒化により終端化されたことに起因する.表面窒化量はたい積時の窒素流量比により制御でき,約1.5at.%の表面窒化により,リーク特性は2けた以上回復した.一方,過度の表面窒化は電子卜ラツプ確率を増大させ,絶縁膜寿命が劣化した....
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| Published in | 応用物理 Vol. 69; no. 9; pp. 1103 - 1107 |
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| Main Authors | , , , |
| Format | Journal Article |
| Language | Japanese |
| Published |
公益社団法人 応用物理学会
2000
|
| Online Access | Get full text |
| ISSN | 0369-8009 2188-2290 |
| DOI | 10.11470/oubutsu1932.69.1103 |
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| Abstract | メタルゲート電極形成が,ゲート絶縁膜リーク電流や信頼性に及ぼす影響を評価した.スパッタリング法によるWゲートたい積では,表面への物理ダメージにより絶縁膜特性が劣化した.一方,窒素ガスを用いた反応性スパッタリング法によるWNx. ゲートたい積では,たい積工程中の絶縁膜表面窒化により絶縁膜特性劣化が抑制された.これは電極たい積時に形成された絶縁膜表面のダングリングボンドが,窒化により終端化されたことに起因する.表面窒化量はたい積時の窒素流量比により制御でき,約1.5at.%の表面窒化により,リーク特性は2けた以上回復した.一方,過度の表面窒化は電子卜ラツプ確率を増大させ,絶縁膜寿命が劣化した. |
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| AbstractList | メタルゲート電極形成が,ゲート絶縁膜リーク電流や信頼性に及ぼす影響を評価した.スパッタリング法によるWゲートたい積では,表面への物理ダメージにより絶縁膜特性が劣化した.一方,窒素ガスを用いた反応性スパッタリング法によるWNx. ゲートたい積では,たい積工程中の絶縁膜表面窒化により絶縁膜特性劣化が抑制された.これは電極たい積時に形成された絶縁膜表面のダングリングボンドが,窒化により終端化されたことに起因する.表面窒化量はたい積時の窒素流量比により制御でき,約1.5at.%の表面窒化により,リーク特性は2けた以上回復した.一方,過度の表面窒化は電子卜ラツプ確率を増大させ,絶縁膜寿命が劣化した. |
| Author | 江利口, 浩二 原田, 佳尚 森脇, 將 山田, 隆順 |
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| DOI | 10.11470/oubutsu1932.69.1103 |
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| EISSN | 2188-2290 |
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