江利口, 浩., 森脇, 將., 山田, 隆., & 原田, 佳. (2000). 反応性スパッタリング法によるメタルゲート電極形成技術. 応用物理, 69(9), 1103-1107. https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.69.1103
Chicago Style (17th ed.) Citation江利口, 浩二, 將 森脇, 隆順 山田, and 佳尚 原田. "反応性スパッタリング法によるメタルゲート電極形成技術." 応用物理 69, no. 9 (2000): 1103-1107. https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.69.1103.
MLA (9th ed.) Citation江利口, 浩二, et al. "反応性スパッタリング法によるメタルゲート電極形成技術." 応用物理, vol. 69, no. 9, 2000, pp. 1103-1107, https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.69.1103.
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