基于简化电阻电容电路的单粒子效应应用研究

• Published in: 计算机工程与科学 Vol. 36; no. 3; pp. 420 - 425
• Main Author: 邓全 王天琦 李鹏 张民选 肖立伊
• Format: Journal Article
• Language: Chinese
• Published: 国防科学技术大学计算机学院,湖南长沙,410073%哈尔滨工业大学航天学院,黑龙江哈尔滨,150006 2014
• Subjects: 临位翻转预测; 单粒子效应; 简化电阻电容电路模型; 软错误; simplified RC circuit; SEU; prediction of adjacent position upset; 临位翻转预测; soft error; 软错误; 简化电阻电容电路模型; 单粒子效应

随着器件尺寸缩小至纳米级,微观粒子对半导体器件的影响变得越来越明显.器件可靠性的研究近年来逐渐引起了人们的重视,开展了很多相关研究.以研究单粒子翻转效应为核心,在传统混合仿真的基础上,采用简化RC电路模型对简化电路的应用进行研究,总结了电阻和电容值变化对等效电路中敏感节点处电学特性变化的规律,探究了使用Id-Vd曲线判断单粒子翻转的准确性,提出了在研究临位翻转时,通过单次实验即可有效预测临位翻转情况的方法.根据实验所得的电压电流曲线图形特点对它们进行分类,从而判断临位翻转.通过模拟实验与预测结果比对,两者的结果相符,预测有较高准确性....