HEMT太赫兹探测器的二维电子气特性分析 - 李金伦;崔少辉;徐建星;袁野;苏向斌;倪海桥;牛智川 (红外与毫米波学报, 2017)
采用分子束外延技术（MBE）对GaAs/AlxGa1-xAs二维电子气（2DEG）样品进行了制备,样品制备过程中,通过改变Al的组分含量、隔离层厚度、对比体掺杂与δ掺杂两种方式,在300 K条件下对制备的样品进行了霍尔测试,获得了室温迁移率7.205E3cm~2/Vs,载流子浓度为1.787E12/cm^3的GaAs/AlxGa1-xAs二维电子气沟道结构,并采用Mathematica软件分别计算了不同沟道宽度时300 K、77 K温度下GaAs基HEMT结构的太赫兹探测响应率,为HEMT场效应管太赫兹探测器的研究和制备提供了参考依据.