利用椭偏仪研究氢气退火处理对ZnO-Ga薄膜光学性能的影响

• Published in: 红外与毫米波学报 Vol. 35; no. 1; pp. 6 - 10
• Main Author: 杨娇 高美珍
• Format: Journal Article
• Language: Chinese
• Published: 兰州大学物理科学与技术学院磁学与磁性材料教育部重点实验室,甘肃兰州,730000 2016
• Subjects: GZO薄膜; 双振子模型; 椭圆偏振光谱仪; 氢处理; 椭圆偏振光谱仪; spectroscopic ellipsometry; 双振子模型; 氢处理; GZO薄膜; GZO thin film; double oscillator model; hydrogen treatment

通过溶胶凝胶技术制备了不同Ga掺杂含量的Zn O透明导电薄膜,研究了Ga掺杂对GZO薄膜结构、电学及光学性能的影响.从X射线衍射光谱分析,所有薄膜均表现为六方纤锌矿结构,经过氢气退火处理之后,薄膜的电学性能均得到提高,当Ga掺杂含量为5 at%时,得到薄膜的电阻率为3.410×10^-3Ω·cm.利用可变入射角椭圆偏振光谱仪（VASE）在270-1 600 nm波长范围内研究了GZO薄膜折射率和消光系数的变化,采用双振子模型对实验数据进行拟合....