化学镀技术在超大规模集成电路互连线制造过程的应用

TQ153.1+4; 总结自大马士革铜工艺建立以来,电化学工作者利用化学镀技术围绕该工艺而开展的一系列相关研究,介绍了应用化学镀沉积镍三元合金防扩散层和化学镀铜种子层的研究以及离子束沉积法(Ionied Cluster Beam,LCB)形成Pd催化层后的化学镀铜技术和超级化学镀铜方法.简要叙述化学镀铜技术在超大规模集成电路中的应用,总结化学镀铜技术的研究进展,并指出了今后的发展方向....

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Published in电化学 Vol. 12; no. 2; pp. 125 - 133
Main Authors 王增林, 刘志鹃, 姜洪艳, 王秀文, 新宫原 正三
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 陕西师范大学,化学与材料科学学院,陕西,西安,710062%关西大学,工学部机械工学科,日本,大阪,5648680 2006
Subjects
化学镀铜
防扩散层
种子层
超级化学镀
大马士革铜互连线
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ISSN1006-3471
DOI10.3969/j.issn.1006-3471.2006.02.002

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Abstract TQ153.1+4; 总结自大马士革铜工艺建立以来,电化学工作者利用化学镀技术围绕该工艺而开展的一系列相关研究,介绍了应用化学镀沉积镍三元合金防扩散层和化学镀铜种子层的研究以及离子束沉积法(Ionied Cluster Beam,LCB)形成Pd催化层后的化学镀铜技术和超级化学镀铜方法.简要叙述化学镀铜技术在超大规模集成电路中的应用,总结化学镀铜技术的研究进展,并指出了今后的发展方向.
AbstractList TQ153.1+4; 总结自大马士革铜工艺建立以来,电化学工作者利用化学镀技术围绕该工艺而开展的一系列相关研究,介绍了应用化学镀沉积镍三元合金防扩散层和化学镀铜种子层的研究以及离子束沉积法(Ionied Cluster Beam,LCB)形成Pd催化层后的化学镀铜技术和超级化学镀铜方法.简要叙述化学镀铜技术在超大规模集成电路中的应用,总结化学镀铜技术的研究进展,并指出了今后的发展方向.
Author 王增林
王秀文
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新宫原 正三
刘志鹃
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